新型半導體技術，推動6G加速 - asiasworldcity.hk

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公衆號記得加星標??，第一時間看推送不會錯過。來源：內容來自scitechdaily，謝謝。未來半導體器件的藝術圖像，該器件將有助於實現6G技術。圖片來源：布里斯托大學布里斯托大學的一箇團隊開發了 SLCFET，這是一種突破性的晶體管結構，利用 GaN 材料中的鎖存效應來提高速度和功率，推動 6G 的未來發展。自動駕駛汽車可以消除交通擁堵，足不出戶即可立即獲得醫療診斷，或者感受到遠在大洲彼岸的親人的觸摸，這些聽起來可能像是科幻小說。然而，得益於半導體技術的突破性突破，布里斯托大學牽頭並發表在《自然電子》雜誌上的一項新研究可能會使這些可能性更接近現實。這些未來概念依賴於遠超現有網絡速度的海量數據通信和傳輸能力。爲了實現這一目標，物理學家開發了一種創新方法，可以加速衆多用戶之間的數據傳輸，甚至可能達到全球範圍。創新驅動無限可能布里斯托大學物理學教授、該研究的共同主要作者馬丁·庫巴爾（Martin Kuball）表示：“未來十年內，那些此前幾乎難以想象的技術將廣泛普及，徹底改變人類的各項體驗。其潛在的益處也同樣深遠，包括遠程診斷和手術帶來的醫療保健進步、虛擬教室，甚至虛擬假日旅遊。”布里斯托大學設備熱成像與可靠性中心（CDTR）的馬丁·庫巴爾教授，該中心匯聚了來自世界各地的科學家，致力於開發下一代半導體電子設備。圖片來源：布里斯托大學此外，高級駕駛輔助系統在提升道路安全和工業自動化效率方面也擁有巨大潛力。6G 應用潛力無窮，唯有人類的想象力才能發揮其最大作用。因此，我們創新的半導體發現令人振奮，並將有助於快速、大規模地推動這些發展。人們普遍認爲，從 5G 邁向 6G 需要半導體技術、電路、系統和相關算法的重大升級。例如，其中的關鍵半導體元件——由氮化鎵 (GaN) 材料製成的射頻放大器——必須顯著提高速度、產生更大功率並提高運行可靠性。釋放下一代放大器的力量由國際科學家和工程師組成的團隊測試了一種新的架構，該架構顯著提升了GaN放大器的性能。這一突破得益於GaN中鎖存效應的發現，該效應顯著提升了射頻器件的性能。這些下一代器件採用並行通道，需要亞100納米側鰭——一種控制電流流經器件的晶體管。論文共同第一作者、布里斯托大學名譽研究員阿基爾·沙吉博士解釋說：“我們與合作伙伴合作，試行了一種名爲超晶格城堡場效應晶體管 (SLCFET) 的器件技術。該技術中，超過 1000 個寬度小於 100 納米的鰭片用於驅動電流。儘管 SLCFET 在 W 波段頻率範圍（相當於 75 千兆赫至 110 千兆赫）內展現出了最高的性能，但其背後的物理原理尚不清楚。”“我們認識到這是 GaN 中的鎖存效應，它使得高射頻性能成爲可能。”發現並驗證閂鎖效應研究人員隨後需要同時使用超精密電測量和光學顯微鏡來精確定位這種效應發生的位置，以便進一步研究和理解。在分析了1000多箇魚鰭後，研究結果發現，這種效應發生在最寬的魚鰭上。阿基爾·沙吉博士在布里斯托大學設備熱成像與可靠性中心（CDTR）工作。該中心匯聚了來自世界各地的科學家，致力於開發下一代半導體電子設備。圖片來源：布里斯托大學庫巴爾教授同時也是皇家工程院新興技術主席，他補充道：“我們還使用模擬器開發了一箇3D模型，以進一步驗證我們的觀察結果。下一個挑戰是研究閂鎖效應在實際應用中的可靠性。對該器件進行了長期嚴格的測試，結果表明它不會對器件的可靠性或性能產生不利影響。”“我們發現，推動這種可靠性的關鍵因素是每個鰭片周圍都有一層薄薄的介電塗層。但主要的結論很明確——閂鎖效應可以用於無數的實際應用，並可能在未來以多種不同的方式改變人們的生活。”展望未來的應用下一步工作包括進一步提高設備的功率密度，從而提供更高性能，服務更廣泛的用戶。行業合作伙伴也將把這些下一代設備推向商業市場。布里斯托大學的研究人員在提高各種不同應用和環境中的電氣性能和效率方面處於領先地位。庫巴爾教授領導着器件熱成像與可靠性中心（CDTR），該中心致力於開發用於淨零排放、通信和雷達技術的下一代半導體電子設備。該中心還致力於利用寬帶隙和超寬帶隙半導體來改善器件的熱管理、電氣性能和可靠性。https://scitechdaily.com/new-semiconductor-technology-could-supercharge-6g-delivery/*免責聲明：本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點，半導體行業觀察轉載僅爲了傳達一種不同的觀點，不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持，如果有任何異議，歡迎聯繫半導體行業觀察。今天是《半導體行業觀察》爲您分享的第4065期內容，歡迎關注。加星標??第一時間看推送，小號防走丟求推薦

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